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1 vertical metal-oxide semiconductor field-effect transistor
vertical metal-oxide semiconductor field-effect transistor Vertikal-MOSFET mEnglish-German dictionary of Electrical Engineering and Electronics > vertical metal-oxide semiconductor field-effect transistor
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Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… … Wikipedia
Bipolar Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
NPN-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
PNP-Transistor — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed … Wikipedia
Zinc oxide — Other names Zinc white Calamine Identifiers … Wikipedia
Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… … Deutsch Wikipedia
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Carrier scattering — Defect types include atom vacancies, adatoms, steps, and kinks which occur most frequently at surfaces due to finite material size causing crystal discontinuity. What all types of defects have in common, whether they be surface or bulk, is that… … Wikipedia
BJT — verschiedene Transistor Bauformen Ein Bipolartransistor, meist als BJT (Bipolar Junction Transistor) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem Ladungsträger beider Polarität (Elektronen und Defektelektronen) zur Funktion beitragen. Im Gegensatz zu… … Deutsch Wikipedia